摩根士丹利（Morgan Stanley）：全球DRAM市场在2025年

作者: bet356亚洲版本体育   点击次数:    发布时间: 2025-07-01 10:36

去年，摩根士丹利（Morgan Stanley）发布的报告“寒冷的冬天来了”，为半导体行业倾盆了盆地。但是，自2025年上半年以来，全球芯片市场已经悄悄发出了恢复信号。尤其是在内存内存的领域，从一般目标DRAM到高带宽内存（HBM），市场价格的弹跳，库存减少和订单回收似乎是在编写“春季接近”的新章节。信号1：韩国的总体出口。韩国是全球DRAM行业的主要基础，其出口数据是工业周期观察时期的叶片。自今年2月以来，韩国DRAM出口的出口已在上一年的下降下降，连续四个月达到了两位数的增长阶段：3月的27.8％，4月38％，5月36％，6月前20天的36％和25.5％。 （来源：Daun Lee）这些数据在“半导体冬季”的主要叙述中运行。相反，他们显示了总体用途的DRAM市场（主要用于PC和主服务器）迅速产生了严格的供求模式。根据韩国的KED AICEL数据，韩国的出口量为2.69万亿胜利（约合19亿美元），增长了25.5％。应该注意的是，该数据不包括更复杂的多芯片包装产品，例如HBM。 Trendforce说：“目前的供应是有限的，许多消费者发现很难获得所需的产品，而且价格可以更快地上涨。”它预计将在第三季度上涨18-23％。这种现象给了该行业长期崩溃的先前酌处权带来挑战，并恢复了对芯片行业一般复苏的市场期望。首尔的一家战略银行说：“尽管宏观环境中仍然存在不确定性，但最近价格上涨的速度和发病率并不少见。” “当前的鼓CYCle是毫无意义的。“如果这进一步确认了总通用DRAM市场“具有最糟糕的时期”的判断，并表明新的增长可能已经悄悄地开始。DaxinSecurities liu Henggen指出，最近的价格折扣已经在这种情况下增长了，那么在这种情况下，人们对市场的整体充满了良好的态度。他说，更强大。信号2：三星通用电动机DRAM的表现已经恢复，并在这一市场趋势中获得了市场资本的关注，这使投资者在三星的注意力都引起了人们的注意。尽管他在HBM Track上的SK Hynix落后于三星，但三星在HBSUNG DRAM的整体级别上，是HBAM的整体级别 - Drover的整体级 - Drover的整体级 - 总成绩和DRAM的整体成绩是快速的With the Dram's overall grade and the Dram's overall grade is fast -paced with the Dram's overall grade of drum gram is fast -paced with the overall grade of the Dam's overall grade of drums is fast -paced with the Dram's overall grade of the Dam's overall drum It is improving the past was also actively entering the HBM track and began providing HBM3E 12-layer chips to AMDThe industry is believed to be in the industry to obtain a foothold在HBM市场中，您仍然需要进入NVIDIA供应链。目前，NVIDIA的成本超过HBM全球HBM需求的80％。尽管仍然存在挑战，但资本市场得到了三星的利益。自今年年初以来，三星的股价上涨了12.9％，尽管它低于去年同期，但这种趋势却大大提高。信号3：DDR4价格上涨，DDR5变得适中。根据Trendforce（Trendforce）数据，在过去几周中，主流DDR4芯片的价格急剧上涨：16GB DDR4 3200芯片的面积从5月23日的5.6美元增加到6月20日的11.5美元，几乎是两倍； At the same time, the price of DDR5 4800/5000 chips also increased by 9%, around US $ 6. By dramexchange quEry, the average price of Samsung/SK Hynix area 3200 MHz DDR4 16GB (1GX16) chip was $ 12.5, and the highest price reached $ 24, while the DDR5 2X8G module price remained around $ 6. This is the first time the previous DDR generation price is高于新的DDR生成产品。这种增加的路缘是由于对供应方的调整所致。自4月以来，三星，Micron和SK Hynix宣布了供应暂停。终端制造商（尤其是PC制造商和IT设备制造商）关注地缘政治和贸易政策的影响，并开始专注于存放。这种供应和需求错误地推动了价格的增长，据报道，三星，SK Hynix和Micron提高了其最后一批DDR4备忘录的价格RY，同时为DDR5产品的工业转移提供了一个空间。应该指出的是，即使DDR5逐渐促进了新笔记本电脑，它的一部分不到100％，许多消费者倾向于使用较低的价格和更成熟的DDR4。许多OEM制造商仍然使用旧的Raptor Lake芯片 - 这意味着DDR4仍然具有庞大的市场基础。 Micron的财务官员Mark Murphy的财务官员最近表示，未来的收入增长主要是由鼓驱动的，并且预计毛利率将根据价格上涨，产品组合和成本控制组合而提高。他说：“在库存低下和需求的持续改善的背景下，我们将继续专注于提高定价能力并促进产品结构。”信号4：Micron发表了强大的财务报告。 6月26日，Micron发表了一份精彩的财务报告，这也导致了股票价格上涨：L的季度收入E达到93亿美元，每月增长15.5％，同比增长36.6％，显着高于88.6亿美元的预期市场； l套件每个零件为1.91美元，高于估计的1.60美元； l毛利率增加了39％，从去年同时的28.1％显着增加。值得注意的是，HBM业务已成为本季度最大的亮点。 Micron说，其HBM产品的季度收入已增加了近50％的月份。首席执行官Sanjay Mehrotra宣布，HBM产品是在四个GPU中提供的，并且随着一个C平台客户的交付，MGA计划在2025年底之前将HBM市场的共享增加23-24％。Micron希望在下一季度中达到104-11亿美元，在下一季度达到104-11亿美元，这是新的创纪念增长，从而确认了其高度存储稳定的记忆力，从而获得了高级记忆价值。该公司希望HBM市场共享与鼓市场在2025年下半年。信号5：SK hynix在DRAM市场，三星电子，SK Hynix和Micron的这三个巨人中与HBM取得了巨大的发展。毫无疑问，共享HBM市场已成为不同的盈利能力。由于HBM，SK Hynix在过去两年中赚了很多钱。在今年的第一季度，SK Hynix首次超过了主要竞争对手三星，从三星的34％和Micron的25％中获得了我在全球DRAM市场的36％的股份。贡献的主要来源是HBM。据了解，SK Hynix在HBM领域提供了70％的市场共享。 SK Hynix市场的价值在短短一年半内就翻了一番。 6月24日，SK Hynix的市场价值超过了200万亿胜利（1,470亿美元），这成为韩国历史上的第二股股票，在三星电子产品之后打破了200万亿美元的胜利。相比之下，三星电子的市场价值为358.13万亿胜。 SK Hynix的HBM需求激增预计营业利润将在第二季度达到近9万亿美元（66亿美元）。分析师预测，作为下半年下半年的季度营业利润预计将超过100万亿美元，这是下一个以高收入利润率而闻名的下一部分 - 季后机Salesthe HBM3E 12层芯片，持续上升。此外，希望HBM的收入还能在SK Hynix的整体业务一般动态随机访问记忆（DRAM）中拥有创纪录的记录。 6月26日，行业内部人士估计，HBM3E 12层芯片的价格将超过SK Hynix在第二季度的HBM货物中的一半以上。该比例预计在下半年将超过80％。据报道，12层HBM3E芯片的价格比目前给出的8层芯片高出50％至60％，但收入利润率显着上涨。该行业预言了HBM4 12-的价格层芯片超过$ 600，而目前的8层HBM3和HBM3E产品的价格分别为200美元和300美元。期待HBM的销售额超过今年SK Hynix总收入的50％以上，从40％到2024年第四季度。以这种速度，通常可以预期SK Hynix将破坏先前的年收入记录。最近增长的因素。存储行业恢复的恢复不仅是需求恢复，而且是结构性变化的结果：1）DDR4积极消除：三星，Micron和SK Hynix宣布暂停DDR4系列，减少供应压力以及将产品的重点转移到DDR5和HBM产品上。三星DDR4内存芯片订单将在6月初结束，商品将于10月完成； Micron还向尚未过去的全球客户发布了通知，并期望DDR4/LPDDR4 DRAM的PC和数据中心的传输将在接下来的2个中相互停止3季度。 Micron执行副总裁兼业务总监Sumit Sadana表示，将来，DDR4供应只会与长期的战略合作伙伴（例如车辆，工业和NETCOM）保留，并将专注于具有更长生命周期的嵌入式和基本市场系统。但是，应该指出的是，SK Hynix，三星和Micron等领先公司从DDR4市场出现的另一个可能原因是中国制造商提供的非常便宜的产品。因此，他们需要转向高级DDR5和HBM以保持竞争力。 2）容量传输：HBM生产带来了更高的单位收入，激励制造商将传统生产线转移到高价值产品上，从而加剧了缺乏通用D DRAM芯片的缺乏。例如，今年SK Hynix的资本支出升至29万亿美元，比原计划的22万亿赢家增长了30％。 SK Hynix还旨在转换M10 Fab的一部分（主要生产传统节点产品）在HBM过程中。 3）政策因素推动了放养趋势：欧美关税政策的方向尚不清楚，终端制造商选择库存并避免风险，进一步推动短期价格。总体而言，这与去年摩根士丹利的“寒冷冬季理论”形成了鲜明的对比。摩根士丹利（Morgan Stanley）在2024年预测，HBM储存制造商的供应量高达2500亿GB，超过需求（1500亿GB），降至66.7％，并预测，三星电子进入HBM市场的整个进入HBM市场将是主要的DIT，这是多余的RAIDS。同时，主流存储制造商将处理收入压力，甚至降低SK Hynix和Samsung Electronics的评级和目标价格。但是，由于缺乏对HBM的供应，事实发生了变化（SK Hynix，Samsung和Micron在内的存储制造商已向公众宣布“ HBM库存将是DDR4价格在2025年之前出售，鼓的库存加速了其销售，形成了一个尖锐的“逆转脚本”。摩根史丹利有时警告AI泡沫的风险有时警告它似乎太早了。NVIDIA，NVIDIA，NVIDIA，NVIDIA，库存的最大含义，价格为25 nvip for opitians opitigans for opitigans $ nvist。将达到6万亿美元！ NVIDIA在2025年派出650万个单位，在2026年，平均销售价格超过40,000。分析师还承认，肖恩·金（Shawn Kim）之前的酌处权也太悲观了，希望行业周期的底部能够在2026年初提出，并且该行业显示出更短，更适度的恢复道路。结论：接下来的关键是从一般目标鼓到HBM的增长，从制造商的财务报告到市场价格，来自多种尺寸的数据被指向一个共同的趋势：芯片冬季可能已经过去了。尽管宏观经济学和地缘政治仍在具有不确定性，但供求结构，产品组合和半导体行业的资本流量正在发生深刻的变化。一个新的存储存储循环以与以往任何时候的不同速度静静地开始。寒冷的冬天可能不会结束，但是春季到来。